AMA421P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AMA421P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AMA421P
AMA421P Datasheet (PDF)
ama421p.pdf
Analog Power AMA421PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)26 @ VGS = -4.5V -8.8 Low thermal impedance -2034 @ VGS = -2.5V -7.7 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications: Load Switches DC/DC Conversion Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS
ama420n.pdf
Analog Power AMA420NN-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)9 @ VGS = 4.5V15.0 Low thermal impedance 2011 @ VGS = 2.5V13.5 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications: Power Routing Li Ion Battery Packs Level Shifting and Driver Circuits ABSOLUTE MAXIMUM RA
ama423p.pdf
Analog Power AMA423PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)42 @ VGS = -4.5V -6.6 Low thermal impedance-20 57 @ VGS = -2.5V -5.7 2mm x 2mm footprint DFN package86 @ VGS = -1.8V -1 RDS rated at 1.8V Gate-driveDFN2x2-8Typical Applications: Battery Powered Instruments Portable
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History: PD537BA | SPB07N60C3
History: PD537BA | SPB07N60C3
Liste
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