AMA920N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AMA920N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6

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AMA920N datasheet

 ..1. Size:369K  analog power
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AMA920N

Analog Power AMA920N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 58 @ VGS = 4.5V 4.6 Low thermal impedance 20 82 @ VGS = 2.5V 3.9 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM RA

 9.1. Size:318K  analog power
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AMA920N

Analog Power AMA921P Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 79 @ VGS = -4.5V -4.2 Low thermal impedance -20 110 @ VGS = -2.5V -3.6 Fast switching speed DFN2x2-6L Typical Applications Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and

 9.2. Size:305K  analog power
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AMA920N

Analog Power AMA922N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 23 @ VGS = 4.5V 6.6 Low thermal impedance 20 33 @ VGS = 2.5V 5.6 Fast switching speed DFN2x2-6L Typical Applications Bottom View Power Routing Li Ion Battery Packs Level Shifting and Driver Circuits

Otros transistores... AMA423P, AMA430N, AMA433P, AMA440N, AMA450N, AMA460N, AMA461P, AMA520C, IRF540N, AMA921P, AMA922N, AMA930N, AMA931PE, AMA960N, AMB430N, AMCC431P, AMCC530C