AMA920N Todos los transistores

 

AMA920N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AMA920N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6
 

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AMA920N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  analog power
 ama920n.pdf pdf_icon

AMA920N

Analog Power AMA920NDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)58 @ VGS = 4.5V4.6 Low thermal impedance2082 @ VGS = 2.5V3.9 Fast switching speedTypical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion CircuitsABSOLUTE MAXIMUM RA

 9.1. Size:318K  analog power
 ama921p.pdf pdf_icon

AMA920N

Analog Power AMA921PDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)79 @ VGS = -4.5V -4.2 Low thermal impedance -20110 @ VGS = -2.5V -3.6 Fast switching speed DFN2x2-6L Typical Applications: Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and

 9.2. Size:305K  analog power
 ama922n.pdf pdf_icon

AMA920N

Analog Power AMA922NDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)23 @ VGS = 4.5V6.6 Low thermal impedance 2033 @ VGS = 2.5V5.6 Fast switching speed DFN2x2-6L Typical Applications: Bottom View Power Routing Li Ion Battery Packs Level Shifting and Driver Circuits

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History: A9451 | MTE8D0N08H8

 

 
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