AMA922N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AMA922N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6

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AMA922N datasheet

 ..1. Size:305K  analog power
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AMA922N

Analog Power AMA922N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 23 @ VGS = 4.5V 6.6 Low thermal impedance 20 33 @ VGS = 2.5V 5.6 Fast switching speed DFN2x2-6L Typical Applications Bottom View Power Routing Li Ion Battery Packs Level Shifting and Driver Circuits

 9.1. Size:318K  analog power
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AMA922N

Analog Power AMA921P Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 79 @ VGS = -4.5V -4.2 Low thermal impedance -20 110 @ VGS = -2.5V -3.6 Fast switching speed DFN2x2-6L Typical Applications Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and

 9.2. Size:369K  analog power
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AMA922N

Analog Power AMA920N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 58 @ VGS = 4.5V 4.6 Low thermal impedance 20 82 @ VGS = 2.5V 3.9 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM RA

Otros transistores... AMA433P, AMA440N, AMA450N, AMA460N, AMA461P, AMA520C, AMA920N, AMA921P, 50N06, AMA930N, AMA931PE, AMA960N, AMB430N, AMCC431P, AMCC530C, AMCC920NE, AMCC921PE