AMCC530C Todos los transistores

 

AMCC530C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AMCC530C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
 

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AMCC530C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  analog power
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AMCC530C

Analog Power AMCC530CN & P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)50 @ VGS = 10V5.8 Low thermal impedance 3083 @ VGS = 4.5V4.5 Fast switching speed 72 @ VGS = -10V -4.9-30105 @ VGS = -4.5V -4.0Typical Applications: DC/DC Conversion DFN3x3-8L Motor Drives ABSOLUTE

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History: AO4705 | SHD231006

 

 
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