AMCC530C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AMCC530C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AMCC530C
AMCC530C Datasheet (PDF)
amcc530c.pdf
Analog Power AMCC530CN & P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)50 @ VGS = 10V5.8 Low thermal impedance 3083 @ VGS = 4.5V4.5 Fast switching speed 72 @ VGS = -10V -4.9-30105 @ VGS = -4.5V -4.0Typical Applications: DC/DC Conversion DFN3x3-8L Motor Drives ABSOLUTE
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History: NTMS4807N
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