AMCC530C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AMCC530C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: DFN3X3-8L

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AMCC530C datasheet

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AMCC530C

Analog Power AMCC530C N & P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 50 @ VGS = 10V 5.8 Low thermal impedance 30 83 @ VGS = 4.5V 4.5 Fast switching speed 72 @ VGS = -10V -4.9 -30 105 @ VGS = -4.5V -4.0 Typical Applications DC/DC Conversion DFN3x3-8L Motor Drives ABSOLUTE

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