AMCC530C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AMCC530C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для AMCC530C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMCC530C даташит

 ..1. Size:380K  analog power
 amcc530c.pdf pdf_icon

AMCC530C

Analog Power AMCC530C N & P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 50 @ VGS = 10V 5.8 Low thermal impedance 30 83 @ VGS = 4.5V 4.5 Fast switching speed 72 @ VGS = -10V -4.9 -30 105 @ VGS = -4.5V -4.0 Typical Applications DC/DC Conversion DFN3x3-8L Motor Drives ABSOLUTE

Другие IGBT... AMA920N, AMA921P, AMA922N, AMA930N, AMA931PE, AMA960N, AMB430N, AMCC431P, IRFB4110, AMCC920NE, AMCC921PE, AMCC922NE, AMCC924NE, AMD510C, AMD530C, AMD531C, AMD532C