Справочник MOSFET. AMCC530C

 

AMCC530C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AMCC530C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AMCC530C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  analog power
 amcc530c.pdf pdf_icon

AMCC530C

Analog Power AMCC530CN & P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)50 @ VGS = 10V5.8 Low thermal impedance 3083 @ VGS = 4.5V4.5 Fast switching speed 72 @ VGS = -10V -4.9-30105 @ VGS = -4.5V -4.0Typical Applications: DC/DC Conversion DFN3x3-8L Motor Drives ABSOLUTE

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: RF1S530SM

 

 
Back to Top

 


 
.