APL602J MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APL602J

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 565 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: SOT-227

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APL602J datasheet

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APL602J

APL602J 600V 43A 0.125 LINEAR MOSFET Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linear region where concurrent high voltage and high current can occur at near DC conditions (>100 msec). "UL Recognized" ISOTOP Higher FBSOA Popular SOT-227 Package D Higher Power Dissipation G S MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless oth

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apl602b2g apl602lg.pdf pdf_icon

APL602J

APL602B2(G) APL602L(G) *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. 600V 49A 0.125 B2 LINEAR MOSFET T-MAX TO-264 Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linear region where concurrent high voltage and high current can occur at L near DC conditions (>100 msec). D Higher FBSOA Popular T-MAX or TO-264 Package G

Otros transistores... AMS930N, APF7619WS, APL1001J, APL501J, APL502B2G, APL502J, APL502LG, APL602B2G, IRF1010E, APL602LG, AUIRF1010EZSTRL, AUIRF1010ZSTRL, AUIRF1324STRL, AUIRF1404ZSTRL, AUIRF1405ZS-7P, AUIRF1405ZSTRL, AUIRF2804STRR