APL602J Todos los transistores

 

APL602J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APL602J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 565 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-227
 

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APL602J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  ape
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APL602J

APL602J600V 43A 0.125LINEAR MOSFETLinear Mosfets are optimized for applications operating in the Linearregion where concurrent high voltage and high current can occur atnear DC conditions (>100 msec)."UL Recognized"ISOTOP Higher FBSOA Popular SOT-227 PackageD Higher Power DissipationGSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless oth

 8.1. Size:1369K  ape
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APL602J

APL602B2(G)APL602L(G)*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.600V 49A 0.125B2LINEAR MOSFETT-MAXTO-264Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linearregion where concurrent high voltage and high current can occur atLnear DC conditions (>100 msec).D Higher FBSOA Popular T-MAX or TO-264 PackageG

Otros transistores... AMS930N , APF7619WS , APL1001J , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG , APL602B2G , IRF530 , APL602LG , AUIRF1010EZSTRL , AUIRF1010ZSTRL , AUIRF1324STRL , AUIRF1404ZSTRL , AUIRF1405ZS-7P , AUIRF1405ZSTRL , AUIRF2804STRR .

History: PMV35EPE | IPB65R110CFD | CES2303 | H7P1006MD90TZ | ASDM30N65E-R | FDS4435-NL | OSG65R108HSZF

 

 
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