APL602J MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APL602J
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 565 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1280 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
Тип корпуса: SOT-227
APL602J Datasheet (PDF)
apl602j.pdf
APL602J600V 43A 0.125LINEAR MOSFETLinear Mosfets are optimized for applications operating in the Linearregion where concurrent high voltage and high current can occur atnear DC conditions (>100 msec)."UL Recognized"ISOTOP Higher FBSOA Popular SOT-227 PackageD Higher Power DissipationGSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless oth
apl602b2g apl602lg.pdf
APL602B2(G)APL602L(G)*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.600V 49A 0.125B2LINEAR MOSFETT-MAXTO-264Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linearregion where concurrent high voltage and high current can occur atLnear DC conditions (>100 msec).D Higher FBSOA Popular T-MAX or TO-264 PackageG
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918