Справочник MOSFET. APL602J

 

APL602J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APL602J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 565 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227
 

 Аналог (замена) для APL602J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APL602J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  ape
 apl602j.pdf pdf_icon

APL602J

APL602J600V 43A 0.125LINEAR MOSFETLinear Mosfets are optimized for applications operating in the Linearregion where concurrent high voltage and high current can occur atnear DC conditions (>100 msec)."UL Recognized"ISOTOP Higher FBSOA Popular SOT-227 PackageD Higher Power DissipationGSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless oth

 8.1. Size:1369K  ape
 apl602b2g apl602lg.pdf pdf_icon

APL602J

APL602B2(G)APL602L(G)*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.600V 49A 0.125B2LINEAR MOSFETT-MAXTO-264Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linearregion where concurrent high voltage and high current can occur atLnear DC conditions (>100 msec).D Higher FBSOA Popular T-MAX or TO-264 PackageG

Другие MOSFET... AMS930N , APF7619WS , APL1001J , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG , APL602B2G , IRF530 , APL602LG , AUIRF1010EZSTRL , AUIRF1010ZSTRL , AUIRF1324STRL , AUIRF1404ZSTRL , AUIRF1405ZS-7P , AUIRF1405ZSTRL , AUIRF2804STRR .

History: HGN024N06SL | TSJ10N10AT | AO4821 | NCE0224AF | CTLDM8120-M621H | BUK9535-100A

 

 
Back to Top

 


 
.