APL602J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APL602J

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 565 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: SOT-227

Аналог (замена) для APL602J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APL602J даташит

 ..1. Size:73K  ape
 apl602j.pdf pdf_icon

APL602J

APL602J 600V 43A 0.125 LINEAR MOSFET Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linear region where concurrent high voltage and high current can occur at near DC conditions (>100 msec). "UL Recognized" ISOTOP Higher FBSOA Popular SOT-227 Package D Higher Power Dissipation G S MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless oth

 8.1. Size:1369K  ape
 apl602b2g apl602lg.pdf pdf_icon

APL602J

APL602B2(G) APL602L(G) *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. 600V 49A 0.125 B2 LINEAR MOSFET T-MAX TO-264 Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linear region where concurrent high voltage and high current can occur at L near DC conditions (>100 msec). D Higher FBSOA Popular T-MAX or TO-264 Package G

Другие IGBT... AMS930N, APF7619WS, APL1001J, APL501J, APL502B2G, APL502J, APL502LG, APL602B2G, IRF1010E, APL602LG, AUIRF1010EZSTRL, AUIRF1010ZSTRL, AUIRF1324STRL, AUIRF1404ZSTRL, AUIRF1405ZS-7P, AUIRF1405ZSTRL, AUIRF2804STRR