AUIRF1010EZSTRL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRF1010EZSTRL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: D2PAK

 Búsqueda de reemplazo de AUIRF1010EZSTRL MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AUIRF1010EZSTRL datasheet

 0.1. Size:375K  international rectifier
 auirf1010ezstrl.pdf pdf_icon

AUIRF1010EZSTRL

PD - 95962 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010EZ AUIRF1010EZS AUIRF1010EZL Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D V(BR)DSS 60V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max. 8.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G ID (Silicon Limited) 84A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qualified * ID (Package Limited)

 2.1. Size:756K  infineon
 auirf1010ez auirf1010ezs auirf1010ezl.pdf pdf_icon

AUIRF1010EZSTRL

AUIRF1010EZ AUIRF1010EZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010EZL Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 6.8m Ultra Low On-Resistance max. 8.5m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 84A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Q

 5.1. Size:268K  international rectifier
 auirf1010zstrl.pdf pdf_icon

AUIRF1010EZSTRL

PD - 97458A AUIRF1010Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010ZS AUIRF1010ZL Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature V(BR)DSS 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to RDS(on) max. 7.5m Tjmax G Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 94A Automotive Qualified * S

 5.2. Size:752K  infineon
 auirf1010z auirf1010zs auirf1010zl.pdf pdf_icon

AUIRF1010EZSTRL

AUIRF1010Z AUIRF1010ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010ZL Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 7.5m 175 C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 94A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... APL1001J, APL501J, APL502B2G, APL502J, APL502LG, APL602B2G, APL602J, APL602LG, AON6380, AUIRF1010ZSTRL, AUIRF1324STRL, AUIRF1404ZSTRL, AUIRF1405ZS-7P, AUIRF1405ZSTRL, AUIRF2804STRR, AUIRF2804WL, AUIRF2907ZS7PTL