AUIRF1010EZSTRL Todos los transistores

 

AUIRF1010EZSTRL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AUIRF1010EZSTRL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 140 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 58 nC
   Tiempo de subida (tr): 90 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 420 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET AUIRF1010EZSTRL

 

AUIRF1010EZSTRL Datasheet (PDF)

 0.1. Size:375K  international rectifier
auirf1010ezstrl.pdf

AUIRF1010EZSTRL AUIRF1010EZSTRL

PD - 95962AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1010EZAUIRF1010EZSAUIRF1010EZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceDV(BR)DSS60V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max.8.5m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGID (Silicon Limited)84A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Limited)

 2.1. Size:756K  infineon
auirf1010ez auirf1010ezs auirf1010ezl.pdf

AUIRF1010EZSTRL AUIRF1010EZSTRL

AUIRF1010EZ AUIRF1010EZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010EZL Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 6.8m Ultra Low On-Resistance max. 8.5m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 84A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Q

 5.1. Size:268K  international rectifier
auirf1010zstrl.pdf

AUIRF1010EZSTRL AUIRF1010EZSTRL

PD - 97458AAUIRF1010ZAUTOMOTIVE GRADEAUIRF1010ZSAUIRF1010ZLFeatures Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureV(BR)DSS55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up toRDS(on) max.7.5mTjmaxG Lead-Free, RoHS CompliantID (Silicon Limited)94A Automotive Qualified *S

 5.2. Size:752K  infineon
auirf1010z auirf1010zs auirf1010zl.pdf

AUIRF1010EZSTRL AUIRF1010EZSTRL

AUIRF1010Z AUIRF1010ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010ZL Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 7.5m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 94A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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