AUIRF1010EZSTRL - аналоги и даташиты транзистора

 

AUIRF1010EZSTRL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AUIRF1010EZSTRL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для AUIRF1010EZSTRL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF1010EZSTRL Datasheet (PDF)

 0.1. Size:375K  international rectifier
 auirf1010ezstrl.pdf pdf_icon

AUIRF1010EZSTRL

PD - 95962AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1010EZAUIRF1010EZSAUIRF1010EZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceDV(BR)DSS60V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max.8.5m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGID (Silicon Limited)84A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Limited)

 2.1. Size:756K  infineon
 auirf1010ez auirf1010ezs auirf1010ezl.pdf pdf_icon

AUIRF1010EZSTRL

AUIRF1010EZ AUIRF1010EZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010EZL Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 6.8m Ultra Low On-Resistance max. 8.5m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 84A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Q

 5.1. Size:268K  international rectifier
 auirf1010zstrl.pdf pdf_icon

AUIRF1010EZSTRL

PD - 97458AAUIRF1010ZAUTOMOTIVE GRADEAUIRF1010ZSAUIRF1010ZLFeatures Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureV(BR)DSS55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up toRDS(on) max.7.5mTjmaxG Lead-Free, RoHS CompliantID (Silicon Limited)94A Automotive Qualified *S

 5.2. Size:752K  infineon
 auirf1010z auirf1010zs auirf1010zl.pdf pdf_icon

AUIRF1010EZSTRL

AUIRF1010Z AUIRF1010ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010ZL Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 7.5m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 94A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APL1001J , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG , APL602B2G , APL602J , APL602LG , IRLZ44N , AUIRF1010ZSTRL , AUIRF1324STRL , AUIRF1404ZSTRL , AUIRF1405ZS-7P , AUIRF1405ZSTRL , AUIRF2804STRR , AUIRF2804WL , AUIRF2907ZS7PTL .

History: IPU60R1K4C6

 

 
Back to Top

 


 
.