AUIRF8736M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AUIRF8736M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 136 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 119 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1045 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AUIRF8736M2

AUIRF8736M2 Datasheet (PDF)

..1. Size:497K international rectifier
auirf8736m2.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF8736M2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 40V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 1.3m other Heavy Load Applications max. 1.9m Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power Density ID (Silicon Limited) 137A Low Parasitic Paramete

0.1. Size:497K infineon
auirf8736m2tr.pdf

6.1. Size:702K international rectifier
auirf8739l2.pdf

AUIRF8739L2TR AUTOMOTIVE GRADE Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 40V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 0.35m other Heavy Load Applications max. 0.6m Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power Density ID (Silicon Limited) 545A Low Parasitic Parameters Qg 375n

6.2. Size:702K infineon
auirf8739l2tr.pdf

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Liste

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