SDF50N40JAM Todos los transistores

 

SDF50N40JAM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SDF50N40JAM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 340(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 140(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254
     - Selección de transistores por parámetros

 

SDF50N40JAM Datasheet (PDF)

 6.1. Size:149K  solitron
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SDF50N40JAM

 8.1. Size:143K  solitron
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SDF50N40JAM

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History: NTB75N03L09T4 | STB76NF80

 

 
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