Справочник MOSFET. SDF50N40JAM

 

SDF50N40JAM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SDF50N40JAM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 340(max) nC
   Время нарастания (tr): 140(max) ns
   Выходная емкость (Cd): 1100 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO254

 Аналог (замена) для SDF50N40JAM

 

 

SDF50N40JAM Datasheet (PDF)

 6.1. Size:149K  solitron
sdf50n40.pdf

SDF50N40JAM

 8.1. Size:143K  solitron
sdf50na20.pdf

SDF50N40JAM

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top