AUIRL7736M2TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRL7736M2TR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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AUIRL7736M2TR datasheet

 ..1. Size:230K  international rectifier
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AUIRL7736M2TR

PD - 97656 AUTOMOTIVE GRADE AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR1 DirectFET Power MOSFET Logic Level V(BR)DSS 40V Advanced Process Technology Optimized for Automotive DC-DC, Motor Drive and RDS(on) typ. 2.2m other Heavy Load Applications max. 3.0m Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power Density ID (Silicon Limited) 112A Low Parasitic

 ..2. Size:434K  infineon
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AUIRL7736M2TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRL7736M2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Logic Level V(BR)DSS 40V Advanced Process Technology Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 2.2m other Heavy Load Applications max. 3.0m Exceptionally Small Footprint and Low Profile ID (Silicon Limited) 112A High Power Density Qg (typical) 52nC

 6.1. Size:216K  international rectifier
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AUIRL7736M2TR

PD - 97635A AUTOMOTIVE GRADE AUIRL7732S2TR AUIRL7732S2TR1 DirectFET Power MOSFET Logic Level V(BR)DSS 40V Advanced Process Technology Optimized for Automotive DC-DC, Motor Drive and RDS(on) typ. 5.0m other Heavy Load Applications max. 6.6m Exceptionally Small Footprint and Low Profile ID (Silicon Limited) High Power Density 58A Low Parasitic Pa

 6.2. Size:426K  infineon
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AUIRL7736M2TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRL7732S2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Logic Level V(BR)DSS 40V Advanced Process Technology Optimized for Automotive DC-DC, Motor Drive and other Heavy RDS(on) typ. 5.0m Load Applications max. 6.6m Exceptionally Small Footprint and Low Profile ID (Silicon Limited) 58A High Power Density Qg (typical) 22nC Low

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