Справочник MOSFET. AUIRL7736M2TR

 

AUIRL7736M2TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AUIRL7736M2TR
   Маркировка: AUIR7L36
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 52 nC
   trⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET

 Аналог (замена) для AUIRL7736M2TR

 

 

AUIRL7736M2TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  international rectifier
 auirl7736m2tr.pdf

AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR

PD - 97656AUTOMOTIVE GRADEAUIRL7736M2TRAUIRL7736M2TR1DirectFET Power MOSFET Logic LevelV(BR)DSS40V Advanced Process Technology Optimized for Automotive DC-DC, Motor Drive andRDS(on) typ.2.2m other Heavy Load Applicationsmax. 3.0m Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power DensityID (Silicon Limited)112A Low Parasitic

 ..2. Size:434K  infineon
 auirl7736m2tr.pdf

AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRL7736M2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Logic LevelV(BR)DSS 40V Advanced Process Technology Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 2.2m other Heavy Load Applications max. 3.0m Exceptionally Small Footprint and Low Profile ID (Silicon Limited) 112A High Power Density Qg (typical) 52nC

 6.1. Size:216K  international rectifier
 auirl7732s2tr1.pdf

AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR

PD - 97635AAUTOMOTIVE GRADEAUIRL7732S2TRAUIRL7732S2TR1DirectFET Power MOSFET Logic LevelV(BR)DSS40V Advanced Process Technology Optimized for Automotive DC-DC, Motor Drive and RDS(on) typ.5.0m other Heavy Load Applicationsmax. 6.6m Exceptionally Small Footprint and Low ProfileID (Silicon Limited) High Power Density 58A Low Parasitic Pa

 6.2. Size:426K  infineon
 auirl7732s2tr.pdf

AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRL7732S2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Logic LevelV(BR)DSS 40V Advanced Process Technology Optimized for Automotive DC-DC, Motor Drive and other Heavy RDS(on) typ. 5.0m Load Applicationsmax. 6.6m Exceptionally Small Footprint and Low Profile ID (Silicon Limited) 58A High Power Density Qg (typical) 22nC Low

 7.1. Size:228K  international rectifier
 auirl7766m2tr.pdf

AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR

PD - 97648AUIRL7766M2TRAUTOMOTIVE GRADEAUIRL7766M2TR1 Automotive DirectFET Power MOSFET V(BR)DSS100V Advanced Process Technology Optimized for Automotive DC-DC andRDS(on) typ.8.0mother Heavy Load Applicationsmax. Logic Level Gate Drive 10m Exceptionally Small Footprint and Low ProfileID (Silicon Limited)51A High Power DensityQg 44nC

 7.2. Size:434K  infineon
 auirl7766m2tr.pdf

AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRL7766M2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Automotive DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 8.0m Logic Level Gate Drive max. 10m Exceptionally Small Footprint and Low Profile ID (Silicon Limited) 51A High Power Density Qg (typical) 44nC L

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top