AUXFS4409 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AUXFS4409
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de AUXFS4409 MOSFET
AUXFS4409 datasheet
auxfs4409.pdf
PD - 97793 AUTOMOTIVE GRADE AUXFS4409 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Low On-Resistance D V(BR)DSS 300V 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 58m Fast Switching G max. 75m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 39A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Description Specifically designed for
Otros transistores... AUIRLR2905ZTR , AUIRLR3410TRL , AUIRLR3705ZTR , AUIRLS3114Z , AUIRLSL4030 , AUIRLU024Z , AUIRLZ24NL , AUIRLZ24NS , 10N65 , MTP15N15 , MTB20N20E , MTB33N10E , FDP2D3N10C , FDP4D5N10C , FQI70N08 , 2SK4145 , MTP33N10E .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APG045N85 | APG042N01D | APG038N01G | APG035N04Q | APG032N04G | APG028N10 | APG024N04G | APG022N06G | APG020N01GD | APG013N04G | APG011N04G | APG011N03G | APC65R190FM | APC60R030WMF | AP9N20K | AP9565K
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