AUXFS4409 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AUXFS4409
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 78 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de AUXFS4409 MOSFET
AUXFS4409 Datasheet (PDF)
auxfs4409.pdf

PD - 97793AUTOMOTIVE GRADEAUXFS4409FeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Low On-Resistance DV(BR)DSS300V 175C Operating TemperatureRDS(on) typ.58m Fast SwitchingG max. 75m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSID 39A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *DescriptionSpecifically designed for
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: FCP20N60 | BR50N10 | IPP060N06N | FK14SM-9 | BUZ900D | BF353 | IPS65R1K4C6
History: FCP20N60 | BR50N10 | IPP060N06N | FK14SM-9 | BUZ900D | BF353 | IPS65R1K4C6



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
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