SDF75NA20GBN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF75NA20GBN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 345(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 180(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1950 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: NA
Otros transistores... SDF50N40JAM , SDF50NA20GBF , SDF5N100JAA , SDF5N100JAB , SDF6N60JAA , SDF6N60JAB , SDF6N90 , SDF6NA100SXH , IRF1404 , SDF85NA50HI , SDF85NA50JD , SDF9130JAA , SDF9130JAB , SDF9140 , SDF9230JAA , SDF9230JAB , SDF9240 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F