SDF75NA20GBN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF75NA20GBN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: NA

Аналог (замена) для SDF75NA20GBN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF75NA20GBN даташит

 5.1. Size:151K  solitron
 sdf75na20.pdf pdf_icon

SDF75NA20GBN

Другие IGBT... SDF50N40JAM, SDF50NA20GBF, SDF5N100JAA, SDF5N100JAB, SDF6N60JAA, SDF6N60JAB, SDF6N90, SDF6NA100SXH, 50N06, SDF85NA50HI, SDF85NA50JD, SDF9130JAA, SDF9130JAB, SDF9140, SDF9230JAA, SDF9230JAB, SDF9240