IPB015N04N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB015N04N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK TO-263
Búsqueda de reemplazo de IPB015N04N MOSFET
IPB015N04N Datasheet (PDF)
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ipb015n04n.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB015N04NFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo
ipp015n04n6 ipb015n04n6.pdf

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Otros transistores... FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , FMH35N60S1FD , FMH40N60S1FD , IPF075N03L , FQB70N08 , FTP03N03N , STP65NF06 , IPB019N06L3 , IPB020N10N5LF , IPB023N04N , IPB027N10N3 , IPB029N06N3 , IPB031NE7N3 , IPB033N10N5LF , IPB037N06N3 .
History: FHF10N65A | AO4294 | SM1A18NSQG | 2SK1608 | NCE8205I
History: FHF10N65A | AO4294 | SM1A18NSQG | 2SK1608 | NCE8205I



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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