IPB065N10N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPB065N10N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 646 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPB065N10N3

IPB065N10N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:258K inchange semiconductor
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Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB065N10N3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

0.1. Size:1157K infineon
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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VIPB065N10N3 GData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOS3 Power-Transistor, 100 VIPB065N10N3 GDPAK1 DescriptionFeatures N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 175

6.1. Size:637K infineon
ipb065n15n3g.pdf

IPB065N15N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 150 VDSQ ' 381>>5?B=1

7.1. Size:614K infineon
ipb065n03l.pdf

pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- m - @? >2H Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BCD1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DQ "2=@86? 7B66 244@

7.2. Size:738K infineon
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IPB065N06L G IPP065N06L G Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>R m , ?> =1G P ( 381>>581>35=5>C

7.3. Size:242K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPB065N03LDESCRIPTIONDrain Current :I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSY

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: