IPB34CN10N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB34CN10N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: D2PAK TO-263

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IPB34CN10N datasheet

 ..1. Size:854K  infineon
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IPB34CN10N

IPB34CN10N G IPD33CN10N G IPI35CN10N G IPP35CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max (TO252) 33 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 27 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
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IPB34CN10N

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB34CN10N FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

Otros transistores... IPB067N08N3, IPB081N06L3, IPB083N10N3, IPB083N15N5LF, IPB097N08N3, IPB107N20N3, IPB110N20N3LF, IPB26CN10N, IRFP460, IPB530N15N3, IPB60R040C7, IPB60R060C7, IPB60R060P7, IPB60R080P7, IPB60R099C7, IPB60R099P7, IPB60R120P7