IPB34CN10N Todos los transistores

 

IPB34CN10N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB34CN10N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK TO-263
 

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IPB34CN10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  infineon
 ipb34cn10ng ipd33cn10ng ipi35cn10ng ipp35cn10ng ipb34cn10n ipd33cn10n ipi35cn10n ipp35cn10n.pdf pdf_icon

IPB34CN10N

IPB34CN10N G IPD33CN10N GIPI35CN10N G IPP35CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO252) 33 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 27 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb34cn10n.pdf pdf_icon

IPB34CN10N

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB34CN10NFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Otros transistores... IPB067N08N3 , IPB081N06L3 , IPB083N10N3 , IPB083N15N5LF , IPB097N08N3 , IPB107N20N3 , IPB110N20N3LF , IPB26CN10N , IRF640 , IPB530N15N3 , IPB60R040C7 , IPB60R060C7 , IPB60R060P7 , IPB60R080P7 , IPB60R099C7 , IPB60R099P7 , IPB60R120P7 .

History: TPU70R950C | IRFSL3306PBF | DMTH6004SCTB | SM1A02NSF | KF9N25P | 2SK529 | HIRF740

 

 
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