Справочник MOSFET. IPB34CN10N

 

IPB34CN10N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB34CN10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK TO-263
 

 Аналог (замена) для IPB34CN10N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB34CN10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  infineon
 ipb34cn10ng ipd33cn10ng ipi35cn10ng ipp35cn10ng ipb34cn10n ipd33cn10n ipi35cn10n ipp35cn10n.pdf pdf_icon

IPB34CN10N

IPB34CN10N G IPD33CN10N GIPI35CN10N G IPP35CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO252) 33 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 27 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb34cn10n.pdf pdf_icon

IPB34CN10N

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB34CN10NFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... IPB067N08N3 , IPB081N06L3 , IPB083N10N3 , IPB083N15N5LF , IPB097N08N3 , IPB107N20N3 , IPB110N20N3LF , IPB26CN10N , IRF640 , IPB530N15N3 , IPB60R040C7 , IPB60R060C7 , IPB60R060P7 , IPB60R080P7 , IPB60R099C7 , IPB60R099P7 , IPB60R120P7 .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.