IPB34CN10N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB34CN10N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: D2PAK TO-263

Аналог (замена) для IPB34CN10N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB34CN10N даташит

 ..1. Size:854K  infineon
 ipb34cn10ng ipd33cn10ng ipi35cn10ng ipp35cn10ng ipb34cn10n ipd33cn10n ipi35cn10n ipp35cn10n.pdf pdf_icon

IPB34CN10N

IPB34CN10N G IPD33CN10N G IPI35CN10N G IPP35CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max (TO252) 33 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 27 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb34cn10n.pdf pdf_icon

IPB34CN10N

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB34CN10N FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

Другие IGBT... IPB067N08N3, IPB081N06L3, IPB083N10N3, IPB083N15N5LF, IPB097N08N3, IPB107N20N3, IPB110N20N3LF, IPB26CN10N, IRFP460, IPB530N15N3, IPB60R040C7, IPB60R060C7, IPB60R060P7, IPB60R080P7, IPB60R099C7, IPB60R099P7, IPB60R120P7