IPB530N15N3 Todos los transistores

 

IPB530N15N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB530N15N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK TO-263
 

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IPB530N15N3 Datasheet (PDF)

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 ipb530n15n3 ipb530n15n3g ipi530n15n3g ipd530n15n3g ipp530n15n3g.pdf pdf_icon

IPB530N15N3

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 0.1. Size:961K  infineon
 ipb530n15n3g ipd530n15n3g ipi530n15n3g ipp530n15n3g.pdf pdf_icon

IPB530N15N3

IPB530N15N3 G IPD530N15N3 GIPI530N15N3 G IPP530N15N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 150 V N-channel, normal levelRDS(on),max 53 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 21 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free Qualified according to

Otros transistores... IPB081N06L3 , IPB083N10N3 , IPB083N15N5LF , IPB097N08N3 , IPB107N20N3 , IPB110N20N3LF , IPB26CN10N , IPB34CN10N , IRFZ44 , IPB60R040C7 , IPB60R060C7 , IPB60R060P7 , IPB60R080P7 , IPB60R099C7 , IPB60R099P7 , IPB60R120P7 , IPB60R160P6 .

History: BSF450NE7NH3G | 2SK1401 | 2SK241 | NCE8205A | 2SK947 | HGN077N10SL | RHU003N03

 

 
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