SDF9230JAA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF9230JAA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254
Búsqueda de reemplazo de SDF9230JAA MOSFET
SDF9230JAA datasheet
sdf920ne.pdf
SDF920NE 11A, 20V, RDS(ON) 22 m Dual N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN2x5 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applicat
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History: GP28S50GN3P | PJD5NA80 | IXFT4N100Q | FMH17N60ES | STF8234 | BUK7E5R2-100E | SVSP20N60FJDD2
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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