Справочник MOSFET. SDF9230JAA

 

SDF9230JAA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDF9230JAA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO254
 

 Аналог (замена) для SDF9230JAA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF9230JAA Datasheet (PDF)

 7.1. Size:164K  solitron
sdf9230.pdfpdf_icon

SDF9230JAA

 9.1. Size:753K  secos
sdf920ne.pdfpdf_icon

SDF9230JAA

SDF920NE 11A, 20V, RDS(ON) 22 mDual N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN2x5 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applicat

 9.2. Size:70K  solitron
sdf9240.pdfpdf_icon

SDF9230JAA

Другие MOSFET... SDF6N90 , SDF6NA100SXH , SDF75NA20GBN , SDF85NA50HI , SDF85NA50JD , SDF9130JAA , SDF9130JAB , SDF9140 , IRF640N , SDF9230JAB , SDF9240 , SDF9N100GAF-D , SDF9N100GAF-S , SDF9N100GAF-U , SDF9N100JEA-D , SDF9N100JEA-S , SDF9N100JEA-U .

History: BLP042N15J-B | SFI9610 | APT5024BVR | BUK9840-55 | SM2404NSAN

 

 
Back to Top

 


 
.