SDF9N100GAF-S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDF9N100GAF-S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO254

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SDF9N100GAF-S datasheet

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SDF9N100GAF-S

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