R6018JNX Todos los transistores

 

R6018JNX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6018JNX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 72 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 7 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.286 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220F

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R6018JNX Datasheet (PDF)

1.1. r6018jnx.pdf Size:255K _inchange_semiconductor

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isc N-Channel MOSFET Transistor R6018JNX ·FEATURES ·With TO-220F packaging ·High speed switching ·Low gate input resistance ·Standard level gate drive ·Easy to use ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Power supply ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PA

5.1. r6018anj.pdf Size:1172K _rohm

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Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6018ANJ ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 ?Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 2.54 0.4 0.78 3) Wide SOA. 2.7 5.08 (1) Gate (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. (2) Drain (3) Source 5) Parallel use is easy. ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inn

5.2. r6018anx.pdf Size:1063K _rohm

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R6018ANX Nch 600V 18A Power MOSFET Datasheet ?Outline VDSS 600V TO-220FM RDS(on) (Max.) 0.27? ID 18A PD 50W (1)(2)(3) ?Features ?Inner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple. *1 Body Diode 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plating ; R

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