SDF9N100GAF-U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SDF9N100GAF-U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 110(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254

Otros transistores... SDF9130JAA , SDF9130JAB , SDF9140 , SDF9230JAA , SDF9230JAB , SDF9240 , SDF9N100GAF-D , SDF9N100GAF-S , IRFB4227 , SDF9N100JEA-D , SDF9N100JEA-S , SDF9N100JEA-U , SDF9N100JEB-D , SDF9N100JEB-S , SDF9N100JEB-U , SDF9N100JEC-D , SDF9N100JEC-S .