SDF9N100GAF-U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SDF9N100GAF-U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF9N100GAF-U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF9N100GAF-U даташит

 3.1. Size:159K  solitron
 sdf9n100gaf.pdf pdf_icon

SDF9N100GAF-U

 6.1. Size:162K  solitron
 sdf9n100.pdf pdf_icon

SDF9N100GAF-U

 6.2. Size:57K  solitron
 sdf9n100sxh.pdf pdf_icon

SDF9N100GAF-U

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SDF9130JAA, SDF9130JAB, SDF9140, SDF9230JAA, SDF9230JAB, SDF9240, SDF9N100GAF-D, SDF9N100GAF-S, IRF3710, SDF9N100JEA-D, SDF9N100JEA-S, SDF9N100JEA-U, SDF9N100JEB-D, SDF9N100JEB-S, SDF9N100JEB-U, SDF9N100JEC-D, SDF9N100JEC-S