VN1206N5 Todos los transistores

 

VN1206N5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VN1206N5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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VN1206N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  inchange semiconductor
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VN1206N5

isc N-Channel MOSFET Transistor VN1206N5FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

 7.1. Size:145K  supertex
 vn1206n1-n2-n5 vn1204n1-n2-n5 vn1210n1-n2-n5.pdf pdf_icon

VN1206N5

 8.1. Size:544K  supertex
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VN1206N5

Supertex inc. VN1206N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power h

 9.1. Size:756K  fuji
 7mbr75vn120-50.pdf pdf_icon

VN1206N5

7MBR75VN120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 75A / PIMFeaturesLow V (sat)CECompact PackageP.C.Board Mount ModuleConverter Diode Bridge Dynamic Brake CircuitRoHS compliant productApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyMaximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings (at Tc=25C unless o

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