CJ1012-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJ1012-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: SOT-523

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CJ1012-G datasheet

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CJ1012-G

MOSFET CJ1012-G N-Channel RoHS Device SOT-523 G Gate Features S Source D Drain - High-Side Switching. 0.067(1.70) 0.059(1.50) 3 - Low On-Resistance. 0.014(0.35) 0.010(0.25) 0.035(0.90) - Low Threshold. 0.028(0.70) - Fast Switching Speed. 1 2 0.020(0.50)TYP. - ESD protected up to 2KV. 0.043(1.10) 0.035(0.90) Mechanical data 0.008(0.20) 0.004(0.10) - Case

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CJ1012-G

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ1012 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 700m @4.5V 3 20V 500mA 850m @2.5V 1. GATE 2. SOURCE General Description 3. DRAIN 1 This Single N-Channel MOSFET has been designed using advanced 2 Power Trench process to optimize the RDS(ON). FEATURE APP

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CJ1012-G

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