CJ1012-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJ1012-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-523

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJ1012-G

CJ1012-G Datasheet (PDF)

..1. Size:131K comchip
cj1012-g.pdf

MOSFETCJ1012-GN-ChannelRoHS DeviceSOT-523G : GateFeaturesS : SourceD : Drain - High-Side Switching.0.067(1.70)0.059(1.50)3 - Low On-Resistance.0.014(0.35)0.010(0.25)0.035(0.90) - Low Threshold.0.028(0.70) - Fast Switching Speed.1 20.020(0.50)TYP. - ESD protected up to 2KV.0.043(1.10)0.035(0.90)Mechanical data0.008(0.20)0.004(0.10) - Case:

8.1. Size:2820K jiangsu
cj1012.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ1012 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 700m@4.5V320V500mA 850m@2.5V1. GATE 2. SOURCE General Description 3. DRAIN 1 This Single N-Channel MOSFET has been designed using advanced 2Power Trench process to optimize the RDS(ON). FEATURE APP

8.2. Size:363K cn tech public
tpcj1012.pdf

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