CJ3400A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJ3400A 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Encapsulados: SOT-23
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de CJ3400A MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
CJ3400A datasheet
cj3400a.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 32m @10V 30V 38m @4.5V 5.8A 1. GATE 45m @2.5V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Exceptional on-resistanc
cj3400-hf.pdf
MOSFET Comchip S M D D i o d e S p e c i a l i s t CJ3400-HF (N-Channel ) Reverse Voltage 30 Volts Forward Current 5.8 A RoHS Device Halogen Free SOT-23 Features 0.118(3.00) 0.110(2.80) - N-Channel Enhancement mode field effect transistor. 3 - High dense cell design for extermely low RDS(ON) 0.055(1.40) 0.047(1.20) - Exceptional on-resistance and maximum DC current capab
cj3400.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 FEATURE 1. GATE High dense cell design for extremely low RDS(ON) 2. SOURCE Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 3. DRAIN MARKING R0 Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter
cj3400.pdf
CJ3400 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G 1
Otros transistores... CJ2312, CJ2321, CJ2333, CJ3134K, CJ3134KW, CJ3139K, CJ3139KW, CJ3400, IRFP460, CJ3400-HF, CJ3401, CJ3401A, CJ3401-HF, CJ3402, CJ3404, CJ3404-HF, CJ3406
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor
