CJ3400A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJ3400A
   Código: R0A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJ3400A

CJ3400A Datasheet (PDF)

..1. Size:1012K jiangsu
cj3400a.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 32m@10V30V 38m@4.5V5.8A1. GATE 45m@2.5V2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Exceptional on-resistanc

8.1. Size:278K jiangsu
cj3400-hf.pdf

MOSFETComchipS M D D i o d e S p e c i a l i s tCJ3400-HF (N-Channel )Reverse Voltage: 30 VoltsForward Current: 5.8 ARoHS DeviceHalogen Free SOT-23Features0.118(3.00)0.110(2.80) - N-Channel Enhancement mode field effect transistor. 3 - High dense cell design for extermely low RDS(ON)0.055(1.40)0.047(1.20) - Exceptional on-resistance and maximum DC current capab

8.2. Size:169K jiangsu
cj3400.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 FEATURE 1. GATE High dense cell design for extremely low RDS(ON) 2. SOURCE Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 3. DRAIN MARKING: R0 Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter

8.3. Size:1722K cn vbsemi
cj3400.pdf

CJ3400www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G 1

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Liste

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