CJ3415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJ3415
   Código: R15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.35 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 17.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 17 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 205 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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CJ3415 Datasheet (PDF)

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cj3415.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23- L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ 3415 P-Channel 20V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-6L 50m@-4.5V-4.0A-20V 60m@-2.5V73m@-1. 8V FEATURE APPLICATION Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltage Load switch and in PWM applicatopns High power and current handing capabilityMARKING: Eq

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Liste

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