CJ3415 Todos los transistores

 

CJ3415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ3415
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CJ3415 Datasheet (PDF)

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CJ3415

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23- L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ 3415 P-Channel 20V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-6L 50m@-4.5V-4.0A-20V 60m@-2.5V73m@-1. 8V FEATURE APPLICATION Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltage Load switch and in PWM applicatopns High power and current handing capabilityMARKING: Eq

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History: AM4922N | NDB610B | NDB608BE | IRFI1010N | AP9452AGG-HF | OSG70R1K4PF | AP9466GH

 

 
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