CJ3415 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CJ3415 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CJ3415
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CJ3415 даташит
cj3415.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23- L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ 3415 P-Channel 20V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-6L 50m @-4.5V -4.0A -20V 60m @-2.5V 73m @-1. 8V FEATURE APPLICATION Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltage Load switch and in PWM applicatopns High power and current handing capability MARKING Eq
Другие IGBT... CJ3401, CJ3401A, CJ3401-HF, CJ3402, CJ3404, CJ3404-HF, CJ3406, CJ3407, IRF3710, CJ3420, CJ4153, CJ502K, CJ8810, CJ8820, CJA03N10, CJA03N10-HF, CJA9451
History: JFFM12N60C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955

