CJ3420 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJ3420  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: SOT-23

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CJ3420 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CJ3420 datasheet

 ..1. Size:1021K  jiangsu
 cj3420.pdf pdf_icon

CJ3420

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors CJ3420 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 24m @ 10V 27m @4.5V 20V 6A 42m @2.5V 1. GATE 2. SOURCE 74m @1.8V 3. DRAIN DESCRIPTION The CJ3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on).This device is suitable f

Otros transistores... CJ3401A, CJ3401-HF, CJ3402, CJ3404, CJ3404-HF, CJ3406, CJ3407, CJ3415, 10N60, CJ4153, CJ502K, CJ8810, CJ8820, CJA03N10, CJA03N10-HF, CJA9451, CJA9452