CJ3420 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJ3420
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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CJ3420 Datasheet (PDF)
cj3420.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors CJ3420 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 24m@ 10V27m@4.5V20V6A42m@2.5V 1. GATE 2. SOURCE 74m@1.8V3. DRAIN DESCRIPTION The CJ3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on).This device is suitable f
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Liste
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