CJ3420 Todos los transistores

 

CJ3420 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ3420
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CJ3420 Datasheet (PDF)

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CJ3420

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors CJ3420 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 24m@ 10V27m@4.5V20V6A42m@2.5V 1. GATE 2. SOURCE 74m@1.8V3. DRAIN DESCRIPTION The CJ3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on).This device is suitable f

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History: HTD090N03 | HUFA75333S3ST | NCE6058K | NCE8295AI | FQAF90N08 | HUFA75329P3 | NCE603583

 

 
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