CJ3420 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJ3420
   Código: R20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.35 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Tiempo de subida (tr): 14 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 164 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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CJ3420 Datasheet (PDF)

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cj3420.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors CJ3420 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 24m@ 10V27m@4.5V20V6A42m@2.5V 1. GATE 2. SOURCE 74m@1.8V3. DRAIN DESCRIPTION The CJ3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on).This device is suitable f

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Liste

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