CJ3420 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CJ3420
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для CJ3420
CJ3420 Datasheet (PDF)
cj3420.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors CJ3420 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 24m@ 10V27m@4.5V20V6A42m@2.5V 1. GATE 2. SOURCE 74m@1.8V3. DRAIN DESCRIPTION The CJ3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on).This device is suitable f
Другие MOSFET... CJ3401A , CJ3401-HF , CJ3402 , CJ3404 , CJ3404-HF , CJ3406 , CJ3407 , CJ3415 , 7N65 , CJ4153 , CJ502K , CJ8810 , CJ8820 , CJA03N10 , CJA03N10-HF , CJA9451 , CJA9452 .
History: BL4N150-W | IPP100N08S2-07 | IPD65R660CFD | HTD140N03 | IPG20N06S2L-50 | IPG20N06S4L-26 | FML12N50ES
History: BL4N150-W | IPP100N08S2-07 | IPD65R660CFD | HTD140N03 | IPG20N06S2L-50 | IPG20N06S4L-26 | FML12N50ES



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI
Popular searches
ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35