CJ4153 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJ4153  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.915 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.57 Ohm

Encapsulados: SOT-523

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CJ4153 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CJ4153 datasheet

 ..1. Size:893K  jiangsu
 cj4153.pdf pdf_icon

CJ4153

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ4153 N-Channel 20-V(D-S) MOSFET ID SOT-523 V(BR)DSS RDS(on)MAX 570m @4.5V 620m @ 2.5V 20 V 0.915A 700m @1.8V 1. GATE 9500m @1.5V 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Load/Power Switches Low RDS(on) Improving System Efficiency Power Supply Converter Circ

Otros transistores... CJ3401-HF, CJ3402, CJ3404, CJ3404-HF, CJ3406, CJ3407, CJ3415, CJ3420, AON6414A, CJ502K, CJ8810, CJ8820, CJA03N10, CJA03N10-HF, CJA9451, CJA9452, CJB01N65B