CJ4153 Todos los transistores

 

CJ4153 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ4153
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.915 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.57 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-523
 

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CJ4153 Datasheet (PDF)

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CJ4153

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ4153 N-Channel 20-V(D-S) MOSFET ID SOT-523 V(BR)DSS RDS(on)MAX 570m@4.5V620m@ 2.5V20V 0.915A700m@1.8V 1. GATE 9500m@1.5V2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Load/Power Switches Low RDS(on) Improving System Efficiency Power Supply Converter Circ

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History: SPC7N65G | RDN100N20 | PDP0980 | HSBE2738

 

 
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