CJ4153 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CJ4153 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.915 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.57 Ohm
Тип корпуса: SOT-523
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CJ4153
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CJ4153 даташит
cj4153.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ4153 N-Channel 20-V(D-S) MOSFET ID SOT-523 V(BR)DSS RDS(on)MAX 570m @4.5V 620m @ 2.5V 20 V 0.915A 700m @1.8V 1. GATE 9500m @1.5V 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Load/Power Switches Low RDS(on) Improving System Efficiency Power Supply Converter Circ
Другие IGBT... CJ3401-HF, CJ3402, CJ3404, CJ3404-HF, CJ3406, CJ3407, CJ3415, CJ3420, AON6414A, CJ502K, CJ8810, CJ8820, CJA03N10, CJA03N10-HF, CJA9451, CJA9452, CJB01N65B
History: CJU01N65B | CJA03N10-HF | CJP08N60
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117

