Справочник MOSFET. CJ4153

 

CJ4153 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJ4153
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.915 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.57 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
 

 Аналог (замена) для CJ4153

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ4153 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:893K  jiangsu
 cj4153.pdf pdf_icon

CJ4153

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ4153 N-Channel 20-V(D-S) MOSFET ID SOT-523 V(BR)DSS RDS(on)MAX 570m@4.5V620m@ 2.5V20V 0.915A700m@1.8V 1. GATE 9500m@1.5V2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Load/Power Switches Low RDS(on) Improving System Efficiency Power Supply Converter Circ

Другие MOSFET... CJ3401-HF , CJ3402 , CJ3404 , CJ3404-HF , CJ3406 , CJ3407 , CJ3415 , CJ3420 , IRFB4110 , CJ502K , CJ8810 , CJ8820 , CJA03N10 , CJA03N10-HF , CJA9451 , CJA9452 , CJB01N65B .

History: SPC7N65G | RDN100N20 | PDP0980 | HSBE2738

 

 
Back to Top

 


 
.