CJA9452 Todos los transistores

 

CJA9452 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJA9452
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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CJA9452 Datasheet (PDF)

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CJA9452

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA9452 N-Channel 20-V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-89-3L 38m@10V20V 50m@4.5V4A80m@2.5V1. GATE 2. DRAIN Description 3. SOURCE The Advanced Power MOSFETs provide the desigher with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, ultra low

 8.1. Size:556K  jiangsu
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CJA9452

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA9451 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-89-3L Description The Advanced Power MOSFETs provide the desigher with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, ultra low 1. GATE on- resistance and cost-effectiveness. 2. DRAIN 3. SOURCE 1 2 2 3 Maximum ratings (

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History: AUIRFU4104 | SQ2351ES | RJK6013DPE | IXFN360N10T | SI4660DY | AP4P018M | RFP12N10

 

 
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