CJB02N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJB02N65  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm

Encapsulados: TO-263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CJB02N65 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CJB02N65 datasheet

 ..1. Size:128K  jiangsu
 cjb02n65.pdf pdf_icon

CJB02N65

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB02N65 N-Channel Power MOSFET TO-263-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hig

Otros transistores... CJ502K, CJ8810, CJ8820, CJA03N10, CJA03N10-HF, CJA9451, CJA9452, CJB01N65B, AON7408, CJB04N60A, CJB04N65, CJB04N65A, CJB08N65, CJB10N60, CJB71N90, CJD01N60, CJD01N65B