CJI02N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJI02N60  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm

Encapsulados: TO-126

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CJI02N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CJI02N60 datasheet

 ..1. Size:421K  jiangsu
 cji02n60.pdf pdf_icon

CJI02N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJI02N60 N-Channel Power MOSFET TO-126 General Description The high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche

Otros transistores... CJD04N60, CJD04N60A, CJD04N60B, CJD04N65, CJD04N65A, CJD05N60B, CJD4410, CJD4435, AON6380, CJK2305, CJK3407, CJK3415, CJL3407, CJL3415, CJL3443, CJM1216, CJP01N65B