CJK2305 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJK2305
   Código: S5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-3L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJK2305

CJK2305 Datasheet (PDF)

..1. Size:619K jiangsu
cjk2305.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK2305 P-Channel 12-V(D-S) MOSFET SOT-23-3L FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING: S5 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitsDrain-Source Volt

9.1. Size:2433K jiangsu
cjk2333.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK -channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 28m@-4.5V 32m@-3.7V -6A 40m@-2.5V -12V 1. GATE 63m@-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN 150m@-1.5V FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converter Excellent RDS(on) Low Gate Charge

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Liste

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