CJK2305 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJK2305  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-3L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJK2305

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJK2305 даташит

 ..1. Size:619K  jiangsu
 cjk2305.pdf pdf_icon

CJK2305

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK2305 P-Channel 12-V(D-S) MOSFET SOT-23-3L FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING S5 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Units Drain-Source Volt

 9.1. Size:2433K  jiangsu
 cjk2333.pdf pdf_icon

CJK2305

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK -channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 28m @-4.5V 32m @-3.7V -6A 40m @-2.5V -12V 1. GATE 63m @-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN 150m @-1.5V FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converter Excellent RDS(on) Low Gate Charge

Другие IGBT... CJD04N60A, CJD04N60B, CJD04N65, CJD04N65A, CJD05N60B, CJD4410, CJD4435, CJI02N60, IRF530, CJK3407, CJK3415, CJL3407, CJL3415, CJL3443, CJM1216, CJP01N65B, CJP02N60