CJK2305 - аналоги и даташиты транзистора

 

CJK2305 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CJK2305
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-3L
 

 Аналог (замена) для CJK2305

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJK2305 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:619K  jiangsu
 cjk2305.pdf pdf_icon

CJK2305

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK2305 P-Channel 12-V(D-S) MOSFET SOT-23-3L FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING: S5 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitsDrain-Source Volt

 9.1. Size:2433K  jiangsu
 cjk2333.pdf pdf_icon

CJK2305

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK -channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 28m@-4.5V 32m@-3.7V -6A 40m@-2.5V -12V 1. GATE 63m@-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN 150m@-1.5V FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converter Excellent RDS(on) Low Gate Charge

Другие MOSFET... CJD04N60A , CJD04N60B , CJD04N65 , CJD04N65A , CJD05N60B , CJD4410 , CJD4435 , CJI02N60 , STP80NF70 , CJK3407 , CJK3415 , CJL3407 , CJL3415 , CJL3443 , CJM1216 , CJP01N65B , CJP02N60 .

History: IXFT94N30T | IXFV36N50P | IRF9540NPBF | SISA12ADN | SIHFZ14 | CSD16412Q5A | IXFV52N30P

 

 
Back to Top

 


 
.