CJK3415 Todos los transistores

 

CJK3415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJK3415
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-3L
 

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CJK3415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  jiangsu
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CJK3415

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3415 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23-3L FEATURE 1. GATE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATIONS Load switch and in PWM applicatopns D MARKING: R15 G S Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value

 9.1. Size:1634K  jiangsu
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CJK3415

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3401AH P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 50m@-10V-30V -4.2A60 m@-4.5Vm@-2.5V85FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load Switch for Portable Devices Exceptional on-resistance and maximum

 9.2. Size:715K  jiangsu
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CJK3415

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 32m@10V30V 38m@4.5V5.8A45m@2.5V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN DFEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Exceptional on-r

 9.3. Size:780K  jiangsu
 cjk3401a.pdf pdf_icon

CJK3415

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3401A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L m@-10V60 -30V 70 m -4.2A@-4.5Vm@-2.5V851. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN DFEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load Switch for Portable Devi

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History: NVMFS6B14NL | SUU10P10-195

 

 
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