CJL3407 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJL3407  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT-23-6L

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CJL3407 datasheet

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CJL3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL3407 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23-6L General Description The CJ3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. MARKING R7 Maximum rati

 9.1. Size:401K  jiangsu
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CJL3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL3443 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23-6L FEATURE Fast Switching Speed Low Gate Charge 1. GATE High Performance Trench Technology for extremely Low RDS(on) 2. DRAIN D 3. SOURCE D S D Description D G This P-Channel MOSFET is produced using advanced PowerTrench

 9.2. Size:279K  jiangsu
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CJL3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23- L Plastic-Encapsulate MOSFETS SOT-23- CJ 3415 P-Channel MOSFET FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltage High power and current handing capability APPLICATION Load switch and in PWM applicatopns MARKING R15 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value

Otros transistores... CJD04N65A, CJD05N60B, CJD4410, CJD4435, CJI02N60, CJK2305, CJK3407, CJK3415, AON7506, CJL3415, CJL3443, CJM1216, CJP01N65B, CJP02N60, CJP02N65, CJP02N80, CJP04N60