CJL3407 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJL3407
   Código: R7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJL3407

CJL3407 Datasheet (PDF)

..1. Size:131K jiangsu
cjl3407.pdf

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9.1. Size:401K jiangsu
cjl3443.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL3443 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23-6L FEATURE Fast Switching Speed Low Gate Charge 1. GATE High Performance Trench Technology for extremely Low RDS(on) 2. DRAIN D 3. SOURCE D SD Description D G This P-Channel MOSFET is produced using advanced PowerTrench

9.2. Size:279K jiangsu
cjl3415.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23- L Plastic-Encapsulate MOSFETS SOT-23- CJ 3415 P-Channel MOSFET FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltage High power and current handing capabilityAPPLICATION Load switch and in PWM applicatopns MARKING: R15 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value

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History: CES2342

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: