CJL3415 Todos los transistores

 

CJL3415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJL3415
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
 

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CJL3415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  jiangsu
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CJL3415

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23- L Plastic-Encapsulate MOSFETS SOT-23- CJ 3415 P-Channel MOSFET FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltage High power and current handing capabilityAPPLICATION Load switch and in PWM applicatopns MARKING: R15 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value

 9.1. Size:401K  jiangsu
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CJL3415

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL3443 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23-6L FEATURE Fast Switching Speed Low Gate Charge 1. GATE High Performance Trench Technology for extremely Low RDS(on) 2. DRAIN D 3. SOURCE D SD Description D G This P-Channel MOSFET is produced using advanced PowerTrench

 9.2. Size:131K  jiangsu
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CJL3415

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL3407 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23-6L General Description The CJ3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. MARKING: R7 Maximum rati

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