CJP07N65 Todos los transistores

 

CJP07N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJP07N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de CJP07N65 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CJP07N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  jiangsu
 cjp07n65.pdf pdf_icon

CJP07N65

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP07N65 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast 1. GATE recovery time. Desighed for high vo

 7.1. Size:506K  jiangsu
 cjp07n60.pdf pdf_icon

CJP07N65

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP07N60 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L General Description The high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in ava

Otros transistores... CJP02N80 , CJP04N60 , CJP04N60A , CJP04N65 , CJP04N65A , CJP05N60 , CJP05N60B , CJP07N60 , 75N75 , CJP08N60 , CJP08N65 , CJP10N60 , CJP10N65 , CJP12N60 , CJP12N65 , CJP71N90 , CJP75N75 .

History: KI2304DS | HSU80N03

 

 
Back to Top

 


 
.