CJP07N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJP07N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJP07N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP07N65 даташит

 ..1. Size:550K  jiangsu
 cjp07n65.pdf pdf_icon

CJP07N65

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP07N65 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast 1. GATE recovery time. Desighed for high vo

 7.1. Size:506K  jiangsu
 cjp07n60.pdf pdf_icon

CJP07N65

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP07N60 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L General Description The high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in ava

Другие IGBT... CJP02N80, CJP04N60, CJP04N60A, CJP04N65, CJP04N65A, CJP05N60, CJP05N60B, CJP07N60, 18N50, CJP08N60, CJP08N65, CJP10N60, CJP10N65, CJP12N60, CJP12N65, CJP71N90, CJP75N75