CJP08N60 Todos los transistores

 

CJP08N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJP08N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de CJP08N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CJP08N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  jiangsu
 cjp08n60.pdf pdf_icon

CJP08N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP08N60 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hig

 7.1. Size:474K  jiangsu
 cjp08n65.pdf pdf_icon

CJP08N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP08N65 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hig

Otros transistores... CJP04N60 , CJP04N60A , CJP04N65 , CJP04N65A , CJP05N60 , CJP05N60B , CJP07N60 , CJP07N65 , 2N60 , CJP08N65 , CJP10N60 , CJP10N65 , CJP12N60 , CJP12N65 , CJP71N90 , CJP75N75 , CJP75N80 .

History: BUZ54 | FDS7096N3 | CJ3404 | NCEP40T13AGU | SL3415 | MEE4294-G | RU190N10Q

 

 
Back to Top

 


 
.