CJQ9435 Todos los transistores

 

CJQ9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJQ9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 24 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJQ9435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3380K  jiangsu
 cjq9435.pdf pdf_icon

CJQ9435

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ9435 P-Channel Power MOSFET I D V (BR)DSS R DS(on) MAX SOP8 60 m@-10V-30V -5.1Am70 @-6V 105m@-4.5VDESCRIPTION The CJQ9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This de

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History: CSD17309Q3 | IRFR120TR | MRF5003 | AONS36316

 

 
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