CJQ9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJQ9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 24 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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CJQ9435 Datasheet (PDF)

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cjq9435.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ9435 P-Channel Power MOSFET I D V (BR)DSS R DS(on) MAX SOP8 60 m@-10V-30V -5.1Am70 @-6V 105m@-4.5VDESCRIPTION The CJQ9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This de

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Liste

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