CJQ9435 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CJQ9435 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 24 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CJQ9435
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CJQ9435 даташит
cjq9435.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ9435 P-Channel Power MOSFET I D V (BR)DSS R DS(on) MAX SOP8 60 m @-10V -30V -5.1A m 70 @-6V 105m @-4.5V DESCRIPTION The CJQ9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This de
Другие IGBT... CJPF10N60, CJPF10N65, CJPF12N60, CJPF12N65, CJQ4410, CJQ4435, CJQ4438, CJQ4459, IRF840, CJU01N60, CJU01N65B, CJU01N80, CJU02N60, CJU02N65, CJU02N80, CJU03N80, CJU04N60
History: SVF8N65RMJ | NTMFS4985NF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent

